P0313 - Verfahren zur Erzeugung verbesserter heteroepitaktischer gewachsener Siliziumkarbidschichten auf Siliziumsubstraten


P0313 - Verfahren zur Erzeugung verbesserter heteroepitaktischer gewachsener Siliziumkarbidschichten auf Siliziumsubstraten

Skorupa, W.; Panknin, D.; Ferro, G.; Gebel, T.; Yankow, R.

Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren, mit dem es möglich ist, die in der unteren Schicht vorhandenen gewünschten Eigenschaften der mit Lichtimpulsen behandelten Substrate für den weiteren Prozess verwertbar zu machen und die Welligkeit der Schicht zu verringern oder zu vermeiden.

  • Patent
    DE 103 44 986 A1
  • Patent
    WO 2005/031825 A1
  • Patent
    DE 103 44 986 B4 - 23. Okt. 2008

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-5971
Publ.-Id: 5971