Atomistische Simulation von Defekten in Festkörpern

Strahlungsinduzierte Defekte können die Eigenschaften von Festkörpern stark verändern. Die physikalischen Prozesse bei der Bildung und Evolution dieser Defekten laufen auf sehr unterschiedlichen Zeit- und Längenskalen ab und sind dem Experiment nur teilweise direkt zugänglich. Multiskalen-Computersimulationen tragen zum besseren Verständnis der genannten Vorgänge und ihres Einflusses auf die Materialeigenschaften bei. Die atomistische Modellierung spielt dabei eine wichtige Rolle. Im Vortrag wird das am Beispiel der ionenstrahlinduzierten Defektbildung und der Defektmigration in Silicium erläutert. Die methodischen und inhaltlichen Verbindungen zwischen diesen Untersuchungen und der atomistischen Simulation von strahlungsinduzierten Defekten im Reaktorstahl werden aufgezeigt und diskutiert.