Ioneninduzierte Nanostrukturen
Beschuss eines Festkörpers mit energetischen Ionen führt zu Materialabtrag von der Oberfläche. Dieser Prozess heißt „Ionenerosion“ oder „Ionsputtern“ und wird häufig in der Industrie als einfache Technik benutzt um Oberflächen aufzurauen, zu glätten oder zu säubern. Der ständige Energieeintrag durch den Ionenstrahl treibt außerdem die Oberfläche aus dem thermodynamischen Gleichgewicht wodurch unterschiedliche Prozesse auf und unterhalb der Oberfläche induziert werden.
Wir untersuchen diese Prozesse während des niederenergetischen (0 keV bis einge 10 keV) Ionenbeschusses, insbesondere im Hinblick auf die kontrollierte Modifikation und Nanostrukturierung von Oberflächen. Wir wenden dafür niederenergetische unfokussierte Ionenstrahlen an um selbstorganisations Prozesse zu untersuchen und fokussierte Ionenstrahlen zur ortsaufgelösten Veränderung von Materialeigenschaftena mit sub-mikrometer Auflösung. Diese Anwendungen werden unterstützt durch die fortlaufende Entwicklung von neuen Ionenquellen und Instrumentierung für die in-situ und in-operando Charakterisierung von Materialien während des Ionenbeschusses.
Unsere wissenschaftlichen Themen umfassen:
Strukturbildung durch Selbstorganisation
Fokussierte Ionenstrahlen
Helium Ion Microscopy
Instrumentenliste FWIZ-N
Gruppeninformationen:
Mitarbeiter - Ioneninduzierte Nanostrukturen
Aktuelle Veröffentlichungen der letzten 2 Jahre
Ältere Veröffentlichungen sind in der Datenbank zu finden.
2024
Contribution of black carbon and desert dust to aerosol absorption in the atmosphere of the Eastern Arabian Peninsula
M. M. K. Mahfouz, G. Skok, J. Sciare, M. Pikridas, M. Rami Alfarra, S. Moosakutty, B. Alfoldy, M. Ivančič, M. Rigler, A. Gregorič, R. Podlipec, S. Lohmann, G. Hlawacek, R. Heller, E. Tutsak, G. Močnik
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 38810) publication
Downloads
Ultralong-term high-density data storage with atomic defects in SiC
M. Hollenbach, C. Kasper, D. Erb, L. Bischoff, G. Hlawacek, H. Kraus, W. Kada, T. Ohshima, M. Helm, S. Facsko, V. Dyakonov, G. Astakhov
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 38750) publication
-
Data publication: Ultralong-term high-density data storage with atomic defects …
ROBIS: 38751 HZDR-primary research data are used by this (Id 38750) publication
Defects distribution and evolution in selected-area helium ion implanted 4H-SiC
Y. Song, Z. Xu, M. Rommel, G. Astakhov, G. Hlawacek, F. Fang
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 37512) publication
An intermediate morphology in the patterning of the crystalline Ge(001) surface induced by ion irradiation
D. Erb, D. A. Pearson, T. Skeren, M. Engler, R. M. Bradley, S. Facsko
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 36885) publication
-
Data publication: Morphological transitions in the patterning of the …
ROBIS: 36887 HZDR-primary research data are used by this (Id 36885) publication
Downloads
2023
Enhanced Luminescence of Yb3+ Ions Implanted to ZnO through the Selection of Optimal Implantation and Annealing Conditions
R. Ratajczak, E. Guziewicz, S. Prucnal, C. Mieszczynski, P. Jozwik, M. Barlak, S. Romaniuk, S. Gieraltowska, W. Wozniak, R. Heller, U. Kentsch, S. Facsko
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 38248) publication
Ab initio insights on the ultrafast strong-field dynamics of anatase TiO2
S. L. Suma Balakrishnan, M. Lokamani, K. Ramakrishna, A. Cangi, D. Murali, M. Posselt, S. Assa Aravindh
Verknüpfte Publikationen
-
Data publication: Ab initio insights on the ultrafast strong-field dynamics of …
ROBIS: 38018 HZDR-primary research data are used by this (Id 37571) publication
Downloads
- Open Access Version von doi.org
- Zweitveröffentlichung erwartet ab 27.11.2024
Challenges of Electron Correlation Microscopy on Amorphous Silicon and Amorphous Germanium
D. Radic, M. Peterlechner, K. Spangenberg, M. Posselt, H. Bracht
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 37521) publication
Downloads
- Zweitveröffentlichung erwartet ab 26.08.2024
Roadmap for focused ion beam technologies
K. Höflich, G. Hobler, F. I. Allen, T. Wirtz, G. Rius, A. Krasheninnikov, M. Schmidt, I. Utke, N. Klingner, M. Osenberg, L. McElwee-White, R. Córdoba, F. Djurabekova, I. Manke, P. Moll, M. Manoccio, J. M. de Teresa, L. Bischoff, J. Michler, O. de Castro, A. Delobbe, P. Dunne, O. V. Dobrovolskiy, N. Freese, A. Gölzhäuser, P. Mazarov, D. Koelle, W. Möller, F. Pérez-Murano, P. Philipp, F. Vollnhals, G. Hlawacek
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 37049) publication
-
Applied Physics Reviews 10(2023)4, 041311
arXiv: 2305.19631
Cited 6 times in Scopus -
Poster
Eu-F-N workshop, 07.-09.06.2023, Zürich, Schweiz -
Poster
FIT4NANO workshop, 17.-19.07.2023, Lisbon, Portugal -
Poster
AVS69, 05.-10.11.2023, Portland, USA
Universal radiation tolerant semiconductor
A. Azarov, J. G. Fernández, J. Zhao, F. Djurabekova, H. He, R. He, Ø. Prytz, L. Vines, U. Bektas, P. Chekhonin, N. Klingner, G. Hlawacek, A. Kuznetsov
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 36900) publication
-
Data publication: Universal radiation tolerant semiconductor
ROBIS: 37095 HZDR-primary research data are used by this (Id 36900) publication
-
Nature Communications 14(2023), 4855
arXiv: 2303.13114
Cited 13 times in Scopus
Downloads
Direct magnetic manipulation of a permalloy nanostructure by a focused cobalt ion beam
J. Pablo-Navarro, N. Klingner, G. Hlawacek, A. Kakay, L. Bischoff, R. Narkovic, P. Mazarov, R. Hübner, F. Meyer, W. Pilz, J. Lindner, K. Lenz
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 36822) publication
Downloads
- Zweitveröffentlichung erwartet ab 26.10.2024
Fluctuation Electron Microscopy on Amorphous Silicon and Amorphous Germanium
D. Radić, M. Peterlechner, M. Posselt, H. Bracht
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 36691) publication
Transport properties of Fe60Al40 during the B2 to A2 structural phase transition
S. Sorokin, M. S. Anwar, G. Hlawacek, R. Boucher, J. Salgado Cabaco, K. Potzger, J. Lindner, J. Faßbender, R. Bali
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 36384) publication
-
Data to the paper "Transport properties of Fe60Al40 during the B2 to A2 …
ROBIS: 36375 HZDR-primary research data are used by this (Id 36384) publication -
Data to the paper "Transport properties of Fe60Al40 during the B2 to A2 …
RODARE: 2102 HZDR-primary research data are used by this (Id 36384) publication
Bottom-up Fabrication of FeSb₂ Nanowires on Crystalline GaAs Substrates with Ion-induced Pre-patterning
T. Weinert, D. Erb, R. Hübner, S. Facsko
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 36264) publication
-
Data publication: Bottom-up Fabrication of FeSb₂ Nanowires on Crystalline GaAs …
ROBIS: 36517 HZDR-primary research data are used by this (Id 36264) publication
Downloads
The Impact of Energy Filtering on Fluctuation Electron Microscopy
D. Radic, M. Peterlechner, M. Posselt, H. Bracht
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 36147) publication
Downloads
- Open Access Version von academic.oup.com
- Zweitveröffentlichung erwartet
Deterministic multi-level spin orbit torque switching using focused He+ ion beam irradiation
J. Kurian, A. Joseph, S. Cherifi-Hertel, C. Fowley, G. Hlawacek, P. Dunne, M. Romeo, G. Atcheson, J. M. D. Coey, B. Doudin
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 35950) publication
-
Pattering data from NPVE software for Helium Ion Microscopy (HIM) irradiation …
ROBIS: 36030 HZDR-primary research data are used by this (Id 35950) publication -
Pattering data from NPVE software for Helium Ion Microscopy (HIM) irradiation …
RODARE: 2055 HZDR-primary research data are used by this (Id 35950) publication
Tailoring crosstalk between localized 1D spin-wave nanochannels using focused ion beams
V. Iurchuk, J. Pablo-Navarro, T. Hula, R. Narkovic, G. Hlawacek, L. Körber, A. Kakay, H. Schultheiß, J. Faßbender, K. Lenz, J. Lindner
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 35208) publication
-
Data publication : Tailoring crosstalk between localized 1D spin-wave …
ROBIS: 36217 HZDR-primary research data are used by this (Id 35208) publication -
Data publication : Tailoring crosstalk between localized 1D spin-wave …
RODARE: 2070 HZDR-primary research data are used by this (Id 35208) publication
CMOS-compatible manufacturability of sub-15 nm Si/SiO2/Si nanopillars containing single Si nanodots for single electron transistor applications
J. Borany, H.-J. Engelmann, K.-H. Heinig, E. Amat, G. Hlawacek, F. Klüpfel, R. Hübner, W. Möller, M.-L. Pourteau, G. Rademaker, M. Rommel, L. Baier, P. Pichler, F. Perez-Murano, R. Tiron
Beteiligte Forschungsanlagen
- Ionenstrahlzentrum DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
Verknüpfte Publikationen
- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 34842) publication
-
Data publication: CMOS-compatible manufacturability of sub-15 nm Si/SiO2/Si …
ROBIS: 34906 HZDR-primary research data are used by this (Id 34842) publication