VGF-Kristallzüchtung mit kombinierten AC/DC-Magnetfeldern

s werden Ergebnisse von VGF-Kristallzüchtungen von GaAs und Ge-Si Kristallen unter dem Einfluss eines wandernden Magnetfeldes vorgestellt. Das Magnetfeld erzeugt eine Strömung in der Schmelze, die wiederum deutlichen Einfluss auf die Form der Phasengrenze und die Dotierstoffverteilung in der Nähe der Phasengrenze hat.