P0810 - Silizium-basierter Lichtermitter auf SOI-Substraten

Die Erfindung beschreibt einen Si-basierten Lichtemitter, der aus einem frontseitigen Metallkontakt, einer dielektrischen Schutzschicht sowie einer Lumineszenzzentren enthaltenden SiO2-Schicht auf Silizium besteht, und derart auf SOI prozessiert wurde, dass er vorwiegend seitlich abstrahlt und sein Licht in eine Wellenleiterstruktur eingekoppelt werden kann.