Experimentelle und theoretische Untersuchungen zur elektrischen Aktivierung von Dotanden und zur Festphasenepitaxie in Ge

Experimentelle und theoretische Untersuchungen zur elektrischen Aktivierung von Dotanden und zur Festphasenepitaxie in Ge

Posselt, M.

Review of recent results on electrical doping of Ge by ion implantation and ms flash lamp annealing, overview on atomistic simulation of solid phase epitaxial recrystallization of amorphous Ge

Keywords: germanium; electrical doping; ion implantation; flash lamp annealing; solid phase epitaxial recrystallization; computer simulation

  • Lecture (others)
    Seminar des Instituts für Materialphysik der Universität Münster, 01.06.2010, Münster, Deutschland

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-14145