Ionenimplantierte Halbleiterstrukturen fuer die Strahlungssensorik

Die Anwendung der Ionenimplantation und anderer halbleitertechnologischer Prozessschritte hat die Fertigungstechnologie von Silizium-Detektoren für die Strahlungssensorik in den zurueckliegenden Jahren wesentlich vorangetrieben. Dies ermöglicht einerseits die kostenguenstige Herstellung von „Standard“-Sensoren, andererseits aber die Entwicklung anwendungsspezifischer Sonderkonfigurationen oder die Umsetzung innovativer neuer Loesungen. Der Vortrag gibt einen kurzgefassten Ueberblick über die Arbeiten des FZD bei der Entwicklung und Fertigung von ionenimplantierter Strahlungsdetektoren fuer ionisierende Teilchen und Photonen. Im Mittelpunkt stehen dabei Loesungen fuer die Spektroskopie von Alpha-Teilchen mit bester Energieaufloesung und Fotodioden mit angepasster spektraler Empfindlichkeit. Die Erzeugung und Optimierung dotierter Gebiete in den Detektorstrukturen mittels spezieller Implantationstechniken (flache pn-Uebergaenge, vergrabene Strukturen) und Kurzzeit- Temperverfahren ist oftmals von ausschlaggebender Bedeutung. Bedingt durch die Verfuegbarkeit elektrostatischer Beschleuniger ist die Anwendung der Hochenergie-Ionenimplantaion fuer spezielle Detektorstrukturen zu einem Markenzeichen der Rossendorfer Entwicklungen geworden. Dazu zaehlen Detektoren für schwere Ionen, Elektronenstrahlen hoher Intensitaet oder spezielle Avalanche- Photodetektoren. Der Vortrag skizziert an einigen praxisrelevanten Beispielen die Anwendung dieser Detektoren auf verschiedenen Gebieten der Sensorik.