Elektrische Aktivierung von Dotanden durch Lasertempern oberhalb der Löslichkeitsgrenze

Die Aktivierung flacher Dotanden stellt einen wichtigen Prozess in der Siliziumtechnologie dar. Typische Dotiermaterialien, wie z. B. Bor, Phosphor, Arsen oder Antimon, besitzen eine sehr hohe Löslichkeit in Silizium. Deswegen können in Silizium hohe Dotierkonzentrationen mit konventionellen Ausheilmethoden in der festen Phase auf der Millisekunden-Zeitskale erreicht werden.
Neuartige, mit Übergangsmetallen dotierte Halbleiter, benötigen für die gewünschte ferromagnetische Kopplung Dotierkonzentrationen weit oberhalb der geringen Löslichkeit magnetischer Dotanden. Ausreichend hohe Dotierkonzentrationen magnetischer Dotanden werden mittels Lasertempern in der flüssigen Phase erreicht. Lasertempern ist ein Prozess, welcher unter thermodynamischen Nichtgleichgewichtsbedingungen auf der ns-Zeitskale stattfindet und eine Diffusion der Dotanden extrem unterdrückt.
In dem Vortrag werden typische Anwendungsgebiete der Lasertemperung vorgestellt und ein Blick auf den aktuellen Stand der Forschung auf dem Gebiet der Lasertemperung zur Herstellung ferromagnetischer Halbleiter geworfen.