Properties of Ga implanted germanium and silicon

Properties of Ga implanted germanium and silicon

Fiedler, J.; Heera, V.; Skrotzki, R.; Herrmannsdörfer, T.; Voelskow, M.; Mücklich, A.; Skorupa, W.; Gobsch, G.; Helm, M.

Involved research facilities

• High Magnetic Field Laboratory (HLD)
• Ion Beam Center DOI: 10.17815/jlsrf-3-159

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• DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 17908) publication

• Lecture (Conference)
  Struktur und Eigenschaften dielektrischer Schichten für die Optik, 07.11.2012, Jena, Deutschland

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-17908