P1204 - Integrierter nichtflüchtiger Analogspeicher

Die Erfindung beschreibt den Aufbau eines integrierten nichtflüchtigen Analogspeichers, umfassend eine piezo- oder ferrroelektrische Schicht zwischen mindestens einem Oberflächenkontakt oder einem zugehörigen Gegenkontakt, wobei die Leitfähigkeit der piezo- oder ferroelektrischen Schicht zwischen den Kontakten und/oder unter dem Oberflächenkontakt und/oder unter dem zugehörigen Gegenkontakt modifiziert ist, so dass eine an gegenüberliegenden Kontakten von außen angelegte Spannung nicht gleichmäßig in der piezo- oder ferroelektrischen Schicht abfällt und das elektrische Feld lokal groß/klein ist und ein großes Feld eine Phasenumwandlung der piezo- oder ferroelektrischen Schicht induzieren kann. Weiterhin wird die Integration und Verwendung des nichtflüchtigen Analogspeichers beispielsweise in einer Arraystruktur für neuromorphe Anwendungen oder als Kalibrierelement beschrieben.