P1205 - Integrierbare Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht, Aufbau und Verwendung
P1205 - Integrierbare Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht, Aufbau und Verwendung
Schmidt, H.; Shuai, Y.; Zhou, S.; Skorupa, I.; Luo, W.; Du, N.
Die Erfindung beschreibt den Aufbau einer in einem Halbleiterbauelement integrierbaren Elektrode mit nichtflüchtig positionierbarer, statisch geladener Grenzschicht. Weiterhin wird die Verwendung der integrierbaren Elektrode in Photobauelementen, Teilchendetektoren, in kapazitiven Energiespeichern und in Logikbauelementen beschrieben.
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Patent
DE102012104425 - Offenlegung 12.12.2013, Erteilung 06.03.2014
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-20336