P1313 - Magnetisierbare Halbleiter und Oxide mit permanenter Magnetisierung, deren Herstellung und Verwendung
P1313 - Magnetisierbare Halbleiter und Oxide mit permanenter Magnetisierung, deren Herstellung und Verwendung
Schmidt, H.; Kaspar, T.; Bürger, D.; Skorupa, I.; Fiedler, J.
Die Erfindung beschreibt die Herstellung und den Aufbau einer Anordnung mit mindestens einer Raumladungszone, bei der sich im Bereich der Raumladungszone magnetische Polaronen stabil ausbilden. Weiterhin beschreibt die Erfindung, die Integration und die Verwendung der Anordnung in einem Spin-FET, in einem Spin-Ventil und in einer Spin-LED.
Involved research facilities
- Ion Beam Center DOI: 10.17815/jlsrf-3-159
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- DOI: 10.17815/jlsrf-3-159 is cited by this (Id 21221) publication
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Patent
DE102013209278 - Offenlegung 20.11.2014, Erteilung 18.02.2016, Nachanmeldung: WO
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-21221
