Entwicklung eines Permeable Base Transistors mit Kobaltdisilizid-Gate auf der Basis maskenloser Implantation mit feinfokussiertem Ionenstrahl

Entwicklung eines Permeable Base Transistors mit Kobaltdisilizid-Gate auf der Basis maskenloser Implantation mit feinfokussiertem Ionenstrahl

Teichert, J.; Hausmann, S.

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  DFG-Te 250/1-1, Zwischenbericht, 12/97

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-2541