Computersimulation der Ionenimplantation in der Si-Technologie: Wechselspiel zwischen Kanalisierung und Defektbildung

Computersimulation der Ionenimplantation in der Si-Technologie: Wechselspiel zwischen Kanalisierung und Defektbildung

Posselt, M.

• Lecture (others)
  Physikalisches Institut der Universität Münster, July, 3, 1998

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-2608