Vorrichtung zum Abbremsen von Ionen an einer II-Anlage zur Niederenergie-Implantation
Vorrichtung zum Abbremsen von Ionen an einer II-Anlage zur Niederenergie-Implantation
Teichert, J.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung vorzuschlagen, mit der ein Ionenstrahl mittlerer Energie für eine Niederenergie-Ionenimplantation einsetzbar ist. Dabei soll der Ionenstrahl so abgebremst werden, daß er mit Niederenergie auf das Target trifft und dort über die Targetfläche eine weitgehend konstante Ionendosis einbringt.
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Patent
DE 199 11 900 A1 -
Patent
EP 1 037 254 A2 -
Patent
EP 1037254 A3 -
Patent
DE 199 11 900 C2
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-2971