Vorrichtung zum Abbremsen von Ionen an einer II-Anlage zur Niederenergie-Implantation


Vorrichtung zum Abbremsen von Ionen an einer II-Anlage zur Niederenergie-Implantation

Teichert, J.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung vorzuschlagen, mit der ein Ionenstrahl mittlerer Energie für eine Niederenergie-Ionenimplantation einsetzbar ist. Dabei soll der Ionenstrahl so abgebremst werden, daß er mit Niederenergie auf das Target trifft und dort über die Targetfläche eine weitgehend konstante Ionendosis einbringt.

  • Patent
    DE 199 11 900 A1
  • Patent
    EP 1 037 254 A2
  • Patent
    EP 1037254 A3
  • Patent
    DE 199 11 900 C2

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-2971