Verfahren zur Herstellung von Kontakten und Leitbahnen in oder auf kristallinen Siliziumkarbid-Halbleitersubstraten

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Kontakte und Leitbahnen in oder auf kristallinen SiC-Halbleitersubstraten mit geringerem Kosten- und Herstellungsaufwand sowie gutem Grenzflächenverhalten herzustellen, wenn eine Schicht über den Kontakten bzw. Leitbahnen aus SiC erforderlich ist.