Verfahren zur gezielten Herstellung von n-leitenden Bereichen in Diamantschichten mittels Ionenimplantation

Die Erfindung betrifft die Herstellung von Halbleiterbauelementen aus Diamanten, Diamantschichten und diamantähnlichen Schichten, die mittels Verfahren der Ionenimplantation dotiert werden und in die auch n-leitende Bereiche eingebracht werden.

Erfindungsgemäß wird zusätzlich zu den bekanntermaßen zur Dotierung verwendeten Elementen der fünften Hauptgruppe Silizium in den zu dotierenden lateralen und Tiefenbereich in einer Konzentration von mehr als 0,1 Atom% implantiert.
Dabei kann das Silizium vor oder nach dem Einbringen der Elemente der fünften Hauptgruppe in das Diamantsubstrat oder in einem Prozeßschritt mit diesen zusammem implantiert werden.
Bei einer Siliziumimplantation nach dem Einbringen der Ionen der Elemente der fünften Hauptgruppe kann die Ausheilung nach jeder oder nur einmal nach der zweiten Implantation erfolgen.