Verfahren zur Erzeugung einer dotierten Schicht in Siliziumkarbid

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleiterbauelementen, deren Substrat aus Siliziumkarbid besteht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, in Siliziumkarbid-Substraten p-leitende Schichten herzustellen, deren Schichtwiderstand kleiner als 10 k / ist und in denen die Löcherbeweglichkeit größer als 10 cm²/Vs ist.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß zusätzlich zu den Akzeptor-Ionen Kohlenstoff-Ionen in einer Konzentration von mehr als 5 Atom% implantiert werden. Dabei können die Kohlenstoff-Ionen vor, während oder nach dem Einbringen der Akzeptor-Ionen implantiert werden.In vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung erfolgt eine Ausheilung der Schicht mit mindestens 500°C. Die Implantationsdosis kann auch in mehreren Teilschritten eingebracht werden. Die Ausheilung soll dann nach jedem Teilschritt erfolgen.