Verfahren zur Dotierung von Siliziumkarbid-Halbleiterbereichen
Verfahren zur Dotierung von Siliziumkarbid-Halbleiterbereichen
Heera, V.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, mit geringerem Aufwand in der Tiefe homogen dotierte SiC-Halbleiterbereiche mit einem schmalen Übergangsbereich zum Substrat zu erzeugen.
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Patent
Patentanmeldung 100 62 212.7 -
Patent
DE 100 62 212 C1
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-3701