Verfahren zur Behandlung heteroepitaktischer Halbleiterschichten auf Siliziumsubstraten
Verfahren zur Behandlung heteroepitaktischer Halbleiterschichten auf Siliziumsubstraten
Gebel, T.; Heera, V.; Panknin, D.; Skorupa, W.; Voelskow, M.; Eickhoff, M.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung heteroepitaktisch auf Siliziumsubstraten abgeschiedener Halbleiterschichten. Die Erfindung soll insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauelemente eingesetzt werden.
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Patent
Patentanmeldung Az 101 27 073.9 -
Patent
DE 101 27 197 A1 -
Patent
EP 1 263 030 A2
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-4215
