Schichtmaterial für optische Informationsträger und Lichtmasken sowie ein Verfahren zur Herstellung des Schichtmaterials

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein neues Schichtmaterial für optische Informationsträger und Lichtmasken sowie ähnlich gelagerte Anwendungen vorzuschlagen. Außerdem wird ein einfaches Verfahren zur lokalen Veränderung der optischen Absorption in diesem Schichtmaterial angegeben, mit dem Strukturgrößen erreichbar sind, wie sie die fortgeschrittene Halbleiterindustrie fordert.
Das Schichtmaterial besteht aus amorphem, hydroxierten Siliciumkarbid der Form a-SiC:H, die Schichtbereiche hoher optischer Absorption enthalten Metallatome, vorzugsweise Gallium oder Zinn.