Tiefenselektive Phasenanalyse in Fe-implantierten GaN-Oberflächen mittels DCEMS
Tiefenselektive Phasenanalyse in Fe-implantierten GaN-Oberflächen mittels DCEMS
Walterfang, M.; Keune, W.; Reuther, H.
195-keV Fe+ Ionen wurden mit einer nominellen Dosis von 5x10E16 cmE-2 bei Raumtemperatur in einen GaN(0001)-Wafer implantiert.
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Poster
AKF-Frühjahrstagung der DPG, Dresden, 24.-28.3.2003
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-5329
