Modifikation der magnetischen Eigenschaften austausch-gekoppelter NiFe/FeMn Filme durch Beschuss mit Ga+-Ionen

Der Einfluss der Bestrahlung von 30 keV Ga+-Ionen auf die magnetischen Eigenschaften des polykristallinen NiFe/FeMn Austausch-Bias-Systems wurde untersucht. In diesem Zusammenhang wurde ein Modell getestet, welches die Änderung der magnetischen Eigenschaften der bestrahlten Systeme einer ioneninduzierten Änderung ihrer Struktur zuschreibt. Dieses Modell war ursprünglich für die Bestrahlung mit He+-Ionen entwickelt worden und macht die Erzeugung von Punktdefekten für die beobachteten Veränderungen verantwortlich. Diesbezüglich wurde auch eine Simulation durchgeführt, die den Beschuss durch He+- und Ga+-Ionen vergleicht. Es konnte gezeigt werden, dass sich das oben genannte Modell auf die Bestrahlung mit Ga+-Ionen übertragen lässt und durch die Ergebnisse der Simulation unterstützt wird. Überdies wurde getestet, ob sich das untersuchte System durch die Bestrahlung mit Ga+-Ionen magnetisch strukturieren lässt. Es konnte nachgewiesen werden, dass auf einer Skala von 10^2 - 10^3 nm eine magnetische Strukturierung mit bestimmten Einschränkungen möglich ist