Ladungsträger-Dynamik in Stickstoff-implantiertem GaAs

III-V-Halbleitern mit geringen Stickstoffkonzentrationen gelten sowohl als Materialsystem als auch für Anwendungen seit einiger Zeit gr¨oßeres Interesse. Neben epitaktischen Methoden bietet die Ionen-Implantation einen effektiven Weg zur Einbringung des Stickstoffs in das Substrat. Nachteil dieses Verfahrens ist der dem Gitter durch die Ionen-Implantation zugefügte Schaden.
Wir untersuchen die Effektivität des Einbaus von aktivem Stickstoff nach Implantation und thermischer Ausheilung (RTA). Bei RTA-Bedingungen von 650°C/30s ist der Einbau des Stickstoffs in die Matrix optimal. Eine Verbesserung der Gitterqualität kann durch Implantation bei erhöhten Temperaturen (T > 200°C) erreicht werden. Die Ladungsträger-Dynamik im sub-Pikosekunden-Bereich für Implantationen bei Raumtemperatur und bei erhöhten Temperaturen wird mit der von nicht-implantiertem GaAs verglichen. Es werden signifikante Unterschiede beobachtet, die auf eine starke Modifizierung der Bandstruktur des stickstoffhaltigen GaAs zurückzuführen sind.