RBS/Channeling-Messungen mit dem Mikrostrahl zur Untersuchung der Strahlenschaden-Akkumulation in Silizium durch Ionen-Implantation

Um die bisherigen Untersuchungen zur Strahlenschaden-Akkumulation in Silizium durch Ionen-Implantation auf sehr hohe Ionenstromdichten zu erweitern, wurden (100) Si-Proben mit 600 keV Si⁺ -Ionen mit einer Stromdichte von 360 µA/cm² (2.2 x 10¹⁵ Si/s/cm²) bei Substrattemperaturen von 50°C bis 400°C bis zu einer Fluenz von 10¹⁸ Si/cm² implantiert. Die Implantation erfolgte mit dem Bochumer supraleitenden Ionenprojektor [J. Meijer, A. Stephan, Microelec. Eng. 41/42 (1998) 257]. Die Schädigung des Si-Kristalls in den implantierten Flächen von 185 µm Durchmesser wurde mit Hilfe der RBS/Channeling-Methode (3 MeV He-Ionen) an der Rossendorfer Mikrosonde untersucht. Für diese Messungen wurde eine zweite Messkammer mit einem 4-Achsen-Goniometer hinter der sonst zur Ionenstrahlanalytik genutzten Messkammer installiert. Die beobachtete deutliche Abhängigkeit der Strahlenschaden-Akkumulation bis hin zur kompletten Amorphisierung der bestrahlten Schicht von der Substrattemperatur und Fluenz wird diskutiert.