P0503-Verfahren zur Behandlung von Halbleiter-Substratoberflächen, die mittels intensiven Lichtimpulsen kurzzeitig aufgeschmolzen werden
P0503-Verfahren zur Behandlung von Halbleiter-Substratoberflächen, die mittels intensiven Lichtimpulsen kurzzeitig aufgeschmolzen werden
Voelskow, M.; Skorupa, W.; Anwand, W.
Es soll der Vertikalaufbau der mittels der Lichtimpulsbestrahlung zu schmelzenden Oberflächenschichten so modifiziert werden, dass eine weitgehend ebene und nicht facetierte Schmelzfront erreicht wird.
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Patent
DE 10 2005 036 669 A1 -
Patent
EP 06013986
Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-7692
