Defect profiling with positrons – recent results on ion implanted 6H-SiC

Defect profiling with positrons – recent results on ion implanted 6H-SiC

Anwand, W.; Brauer, G.; Skorupa, W.

Positron annihilation spectroscopy is used to analyse implantation defects in 6H-SiC.

Keywords: Positron annihilation Spectroscopy; SiC; defects

  • Lecture (Conference)
    Frühjahrstagung des Arbeitskreises “Herstellung und Charakterisierung von massiven GaAs-, InP- und SiC-Kristallen” der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK),, 31.03.-01.04.2004, Halle (Saale), Deutschland

Permalink: https://www.hzdr.de/publications/Publ-9884