Raster-Kelvinkraft-Mikroskopie zur quantitativen Dotierprofilierung an dotiertem Silizium und Mn-implantiertem Germanium

Am Beispiel von dotierten Halbleitern konnte gezeigt werden, dass es mit Hilfe der korrekten Interpretation von KPFM-Daten möglich ist, die gemessene KPFM-Spannung mit der Ladungsträger-Konzentration in den untersuchten Halbleitern zu korrelieren. Die präsentierten Ergebnisse an dotiertem Silizium und Mn-implantiertem Germanium legen nahe, dass die Modellierung der KPFM-Spannung auf alle dotierten Halbleitermaterialien angewandt werden kann, solange die intrinsische Ladungsträgerkonzentration geringer als die Dotierkonzentration ist. Wir erwarten, dass in Zukunft die KPFM-Methode auch zur quantitativen Untersuchung der elektrischen Eigenschaften anderer Materialsysteme eingesetzt wird. Grundlage dafür ist immer das Verständnis der Ursache der mittels KPFM detektierten elektrostatischen Kräfte und die damit verbundene korrekte Interpretation der KPFM-Spannung.