Redundanz-ISFET

Die Erfindung betrifft einen Redundanz-ISFET vorzugsweise für den Einsatz in FLUIDIK-ISFET-Meßsystemen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung Mittel zur Passivierung und Aktivierung der ISFET-Funktion, welches es ermöglichen, aus einem Array einzelne ISFETs seriell nach Bedarf in den Meßzyklus einzuschalten und dadurch dem Meßsystem eine problemangepaßte Lebensdauer zu verleihen.

Erfindungsgemäß erhält ein Redundanz-ISFET zusätzlich zur chemisch sensitiven Gate-Membran (5) eine gateabdeckende Opferschicht (6), welche einen direkten Kontakt der chemisch sensitiven Membran mit dem Meßmedium unterbindet und damit den Alterungsprozeß des ISFETs verhindert.
Die Opferschicht besteht z. B. aus Metall (Al, Cr, Ni, Au) oder aus photosensitivem Polymer. Die Aktivierung der ISFET-Funktion erfolgt durch gezielte Entfernung der Opferschicht durch elektrochemische oder optochemische Auflösung. Ein Array von derartigen Redundanz-ISFETs gestattet es, einem kontinuierlichen Fluidik-Meßsystemen eine frei wählbare Lebensdauer zu verleihen.