Contact

Dr. Shengqiang Zhou
Head Semiconductor Materials
Head
s.zhouAthzdr.de
Phone: +49 351 260 2484

Dr. Lars Rebohle
Semiconductor Materials
l.rebohleAthzdr.de
Phone: +49 351 260 3368

Instrumentelle Ausstattung und Geräte

Abscheidung

Bild Beschreibung
Flash lamp Anlage

Blitzlampentemperung

  • verschiedene Anlagen für
    • 100 mm
    • 200 mm
    • 300 x 200 mm
    • 100 mm In-situ
    • 100 mm Simmer-Tool
  • Tempergase: Vakuum, N2, Ar, O2
  • Pulszeiten: 0.13-80 ms
  • Vorheizung bis 1100°C
  • Energiedichten 4.5 – 135 Jcm-2
  • Temperaturen bis 2000°C (abhängig von Vorheizung und Lichtabsorption)

Verantwortlich: T. Schumann, S. Prucnal

PECVD

Plasmagestützte Abscheidung aus der Gasphase (PECVD)

  • Hersteller: Oxford Instruments
  • staubarmer Arbeitsplatz
  • bis 8 Zoll
  • Hochtemperaturelektrode bis 750°C
  • Schichtmaterialien:
    • SiO2
    • Si3N4, SiOxNy
    • TEOS-Oxid
    • amorphes Si, polykristallines Si
    • Ge-Mischschichten (auf Anfrage)

Verantwortlich: L. Rebohle

PLD Anlage

Abscheidung durch Laserablation (PLD)

  • Hersteller: SURFACE systems + technology GmbH & Co. KG
  • Probengröße: 10x10 mm^2
  • Schichtmaterialien:
    • Transparente leitende Oxide
    • Multiferroika
    • Isolatorschichten

Verantwortlich: I. Skorupa

ALD Anlage

mit FWIO: Atomlagenabscheidung (ALD)

  • Hersteller: Ultratech/CambridgeNanotechALD
  • bis 4 Zoll
  • Abscheidetemperatur 80 - 350°C
  • Schichtmaterialien:
    • Al2O3
    • HfO2
    • SiO2
    • Mischschichten (auf Anfrage)

Verantwortlich: L. Rebohle (FWIM), T. Schönherr (FWIO)

Laserausheilung: Activationline 12

Laserausheilung: Activationline 12 

  • Hersteller: LIMO
  • CW laser
  • Wellenlämge: 808 nm
  • Max. Leistung: 450 W
  • bis DIN A4

Verantwortlich: S. Zhou

Laserausheilung: COMPexPRO 201

Laserausheilung: COMPexPRO 201  

  • Hersteller: Coherent
  • Gepulter Laser (10 Hz)
  • Wellenlämge: 308 nm
  • Pulsdauer: 30 ns
  • Max. Energie: 500 mJ pro Puls

Verantwortlich: S. Zhou

Elektrische Charakterisierung

Bild Beschreibung
Hall-Effekt-Messsystem

Hall-Effekt-Messsystem HMS 9709A von LakeShore:

Messung von elektrischen Transportgrößen (Widerstand, Ladungsträgerdichte und Beweglichkeit) in Abhängigkeit von Temperatur und Magnetfeld.

  • Temperaturbereich:                2.5 - 400 K
  • Maximales Magnetfeld:                      9 T
  • Maximale Probengröße:           13 x 16 mm2
  • Strombereich:                         1 pA - 100 mA
  • Widerstandsbereich:            40 µΩ - 200 GΩ

Verantwortlich: S. Zhou

Widerstandsmessung

Widerstandsmessung

  • 200 mm 4 Point Probe System Aitco CMT 2000
  • 400 x 300 mm Flat Panel 4 Point Probe System Aitco CMT 3000

Verantwortlich: T. Schumann

Optische Charakterisierung

Bild Beschreibung
Optisches Labor

Optische Messplätze

  • Photolumineszenz
  • Elektrolumineszenz
  • Transmissionsmessung an Wellenleitern

Verantwortlich: J. Bhattacharyya (FWIH), L. Rebohle

Magnetische Charakterisierung

Bild Beschreibung
SQUID-VSM

Quantum Design: SQUID-VSM

Es kombiniert die Empfindlichkeit eines SQUID (Supraleitendes Interferenz Device) mit der höheren Geschwindigkeit eines VSM (Vibration Sample Magnetometer). Man kan das schwache magnetische Signal messen (sowohl Temperaturabhängigkeit als auch Magnetfeldabhängigkeit).

  • Temperaturbereich: 1.8 - 400 K
  • Feld:  - 7 T  to +7 T
  • Empfindlichkeit: 10-7 - 10-8 emu

Verantwortlich: S. Zhou

SQUID-MPMS

Quantum Design: SQUID-MPMS

Man kan das schwache magnetische Signal messen (sowohl Temperaturabhängigkeit als auch Magnetfeldabhängigkeit). Die Messgeschwindigkeit ist viel niedriger als bei SQUID-VSM. Aber wir haben einen Ofen installiert und man kann bei Temperaturen von 800 - 1000 K messen.

  • Temperaturbereich: 1.8 - 1000 K
  • Feld: from - 7 T to +7 T
  • Empfindlichkeit: 10-7 emu

Verantwortlich: S. Zhou


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