TIBUSSII (Orsay NanoSpace)

Triple Ion Beam UHV System for Single Ion Implantation

• 2E-10 mbar UHV chamber
• Rasterelektronenmikroskop REM, Kinetische Energie: 1 - 30 keV
• Laterale Auflösung: 5 nm
  
  
• Massen-separierten LMAIS FIB, Kinetische Energie: 1 - 30 keV / 60 keV
• Laterale Auflösung: 7 nm
• Verfügbare Ionenarten: Au, Si, Ge, Ga, … & Cluster-Ionen
• Massen-separierten Plasma FIB, Kinetische Energie: 1 - 30 keV
• Laterale Auflösung: 17 nm (nicht separiert), 100 nm (massen-separiert)
• Verfügbare Ionen: Ne, Ar, Kr, Xe, N, C, O, CO, H, … & Cluster-Ionen

Ansprechpartner: Nico Klingner

Orsay CANION Z31Mplus 

HV-Anlage für fokussierte Ionenstrahlen

• Massen-separierte LMAIS FIB
• Kinetische Energie: 10 - 30 keV / 60 keV
• Laterale Auflösung: 100 nm
• Verfügbare Ionen: Au, Si, Ge, Ga, Co, Nd, Cr, Er, Ni, Bi, … & Cluster-Ionen

Ansprechpartner: Nico Klingner

Zeiss Orion NanoFab

Helium-Ionen-Mikroskop

• Kinetische Energie: 5 - 30 keV
• Laterale Auflösung: 0.5 nm (für He-Ionen), 1.8 nm (für Ne-Ionen)
• Verfügbare Ionen: He, Ne
• Bildgebung mit Sekundärelektronen
• TOF-SIMS
• Untersuchung nicht-leitender Proben mittels Ladungskompensation

Ansprechpartner: Gregor Hlawacek

Zeiss Orion Plus

Helium-Ionen-Mikroskop

• Kinetische Energie: 5 - 35 keV
• Laterale Auflösung: 0.5 nm
• Verfügbare Ionen: He
  
  
• Rückstreu-Detektor
• Rastertransmissions-Ionenmikroskopie mit positionssensitivem Detektor
• Untersuchung nicht-leitender Proben mittels Ladungskompensation

Ansprechpartner: Gregor Hlawacek

Zeiss NVision 40

HV-Anlage für fokussierte Ionen- und Elektronenstrahlen:

• Rasterelektronenmikroskop
• Kinetische Energie: 1 - 30 keV
• Laterale Auflösung: 1.5 nm
• Fokussierter Ga-Ionenstrahl
• Kinetische Energie: 5 - 30 keV
• Laterale Auflösung: 7 nm
• Verfügbare Ionen: Ga
  
  
• Verfahrweg der Stage: 100 mm
• C- und Pt-Deposition

Ansprechpartner: Nico Klingner

HCI

UHV Experimentierkammer für hochgeladene Ionen:

• Kinetische Energie: 0.5q bis 4.5q keV
• Verfügbare Ionensorten: Ne, Ar, Kr

Ansprechpartner: René Heller

LEI

HV-Anlage für niederenergetische Ionenbestrahlung:

• Ionenquelle vom Kaufman-Typ
• Kinetische Energie: 200 bis 1200 eV
• Verfügbare Ionen: Ar, Xe
• Polare Einfallswinkel 0° bis 90°
• Probenheizung bis 600°C
• Ioneninduzierte Nanostrukturierung von Oberflächen

Ansprechpartner: Denise Erb

Olympus Ultra Objective

Rasterkraftmikroskop:

• Contact- oder Tapping-Modus AFM
• Spreading resistance Messung
• max. Messbereich: 20 µm x 20 µm
• optische Mikroskopie

Ansprechpartner: Gregor Hlawacek, Nico Klingner

Bruker Multimode 8 AFM

Rasterkraftmikroskop:

• Contact- oder Tapping-Modus AFM
• 3D-Abbildung der Oberflächentopographie mit 10 nm lateraler Auflösung
• max. Messbereich: 15 µm x 15 µm
• optische Mikroskopie

Ansprechpartner: Denise Erb

Omicron UHV AFM / STM

UHV Rasterkraft- / Rastertunnelmikroskop:

• Contact- oder Non-Contact-Modus AFM
• STM
• 3D-Abbildung der Oberflächentopographie mit < 1 nm lateraler Auflösung
• max. Messbereich: 5 µm x 5 µm
• Probenheizung bis 600°C

Ansprechpartner: Stefan Facsko

NanoSAM

Elektronenmikroskopie im UHV:

• Rasterelektronenmikroskopie (REM)
• Laterale Auflösung: 5 nm

Ansprechpartner: Denise Erb

Spot Welder

Punktschweißgerät:

• Bonden von Drähten und Blechen

Ansprechpartner: Nico Klingner

Etching Setup

• Elektrochemisches Ätzen von Wolframspitzen für Ionenquellen

Ansprechpartner: Nico Klingner

Leica EM TXP

Gerät zur mechanischen Präparation:

• Fräsen, Sägen, Mahlen und Polieren
• u. a. Präparation für Lichtmikroskopie und Elektronenmikroskopie

Ansprechpartner: Nico Klingner

ArBlade 5000 CTC

HV-Gerät zum Fräsen mit Ionenstrahlen:

• Kinetische Energie: 0.1 bis 8 keV 
• Verfügbare Ionen: Ar
• Ionenfräsen zur Glättung oder zur Herstellung von Dünnschnitten
• Abtragraten bis 1 mm/Stunde

Ansprechpartner: Nico Klingner

LMAIS Präparation

HV-Einrichtung zur Herstellung von LMAIS (Liquid Metal Alloy Ion Sources):

• Reinigung und Aufschmelzen von Legierungen für LMAIS
• Benetzung, Füllung und Funktionstest

Ansprechpartner: Nico Klingner