40 kV Ionenimplanter
| Hersteller: | Danfysik A/S, Denmark, Model 1050 | |
| Ionenquelle: | Chordis, Gas- und Feststoffbetrieb | |
| Energiebereich: | 50 eV - 40 keV (für einfach geladene Ionen) | |
| Scanprinzip: | doppelt elektrostatisch | |
| Implantationskammern: | 1 |
Die Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter
| Substrate: | bis 6" Wafer | |
| Substratgröße: | 0.3 x 0.3 cm2 bis 6" Wafer | |
| Implantationsfläche: | max. 150 x 150 mm | |
| Implantationswinkel: | 0° und 7°, andere Winkel auf Anfrage | |
| Substrattemperatur: | Stickstoffkühlung für 2" Wafer, bis 800 °C für 1x1 cm2 Proben |
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| Fluenzbereich: | 1012 bis 1017 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage) |
