Kontakt

Dr. Shengqiang Zhou

Lei­ter Halbleiter­materialien
Leiter
s.zhouAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2484

Dr. Lars Rebohle

l.rebohleAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3368

News from FWIM

19.09.2019 | Juanmei Duan won the Graduate Student Awards in the E-MRS 2019 Fall Meeting! Congratulations!

30.05.2019 | Mao Wang won the Graduate Student Awards in the E-MRS 2019 Spring Meeting! Congratulations!

14.05.2019 | Our paper on Breaking the Doping Limit in Silicon by Deep Impurities being published at Phys. Rev. Appl.

09.05.2019 | Our paper on Superconductivity in single-crystalline aluminum- and gallium-hyperdoped germanium being published at Phys. Rev. Mater.

02.05.2019 | Our paper on Tunable disorder and localization in the rare-earth nickelates being published at Phys. Rev. Mater.

26.04.2019 | Our paper on Thermal stability of Te-hyperdoped Si: Atomic-scale correlation of the structural, electrical, and optical properties being published at Phys. Rev. Mater.

Eye catcher

Abteilung Halbleitermaterialien (FWIM)

Die Abteilung befasst sich mit der Synthese und Modifikation moderner Materialien der Optoelektronik und Quantentechnologie mittels Ionenimplantation und Ultrakurzzeitausheilung. Die Abteilung ist mit mehreren Anlagen zur Ultrakurzzeitausheilung und Dünnschichtabscheidung sowie modernsten Geräten zur Messung elektrischer, optischer und magnetischer Materialeigenschaften ausgestattet. Die Forschung geschieht in enger Zusammenarbeit mit anderen Abteilungen des HZDR einschließlich des Ionenstrahlzentrums (IBC), ELBE und des High Magnetic Field Lab.

Forschungsthemen

Foto: Hyperdoping

Überdotierung von Halbleitern

Foto: Antenna

Optoelektronik im Infrarotbereich

Foto: Defect engineering

Defekt Engineering mit Ionen

Foto: Defects in SiC

Hybride Quantentechnologien mit atomaren Defekten

Foto: Quantum Metrology

Quantenmetrologie mit topologischen Materialien

Foto: FLA and PLA

Blitzlampenausheilung und gepulste Laserausheilung


Drittmittelprojekte:

  • BMBF "ForMikro": Gruppe IV-Heterostrukturen für nanoelektronische Höchstleistungsbauelemente (SiGeSn NanoFETs), Start 2020
  • DFG-DACH: Quantum control of single spin centers in silicon carbide coupled to optical microcavities, Start 2019
  • DFG: 3D tailoring of all-oxide heterostructures by ion beams (3D-Domino), Start 2019
  • DFG: Dotierung mittels FLA and ALD, Start 2018
  • Humboldt Research Fellowship for Postdoctoral Researchers, Y. Berencén, 06/16 – 05/19
  • SAB project SiNERGY, 09/17 – 09/19
  • DECHEMA

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Dr. Shengqiang Zhou

Lei­ter Halbleiter­materialien
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Dr. Lars Rebohle

l.rebohleAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3368