Kontakt

Dr. Shengqiang Zhou

Lei­ter Halbleiter­materialien
Leiter
s.zhouAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2484

Dr. Lars Rebohle

l.rebohleAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3368

We are continuously looking for Bacholar or Master (Diploma) students.

News from FWIM

19.01.2024 | Our paper on Strong Exciton–Phonon Coupling as a Fingerprint of Magnetic Ordering in van der Waals Layered CrSBr being published at ACS Nano

05.09.2023 | Our paper on Ferromagnetic Interlayer Coupling in CrSBr Crystals Irradiated by Ions being published at Nano Letters

23.06.2023 | Our paper on Active Sites of Te-hyperdoped Silicon by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy being published at Applied Physics Letters

05.01.2023 | Our paper on Tripling energy storage density through order–disorder transition induced polar nanoregions in PbZrO3 thin films by ion implantation being published at Applied Physics Reviews

03.06.2022 | Rang Li won the Best Poster Prize in the E-MRS 2022 Spring Meeting! Congratulations!

02.02.2022 | Our paper on Mid- and far-infrared localized surface plasmon resonances in chalcogen-hyperdoped silicon being published at Nanoscale

Abteilung Halbleitermaterialien (FWIM)

Die Abteilung befasst sich mit der Synthese und Modifikation moderner Materialien der Optoelektronik und Quantentechnologie mittels Ionenimplantation und Ultrakurzzeitausheilung. Die Abteilung ist mit mehreren Anlagen zur Ultrakurzzeitausheilung und Dünnschichtabscheidung sowie modernsten Geräten zur Messung elektrischer, optischer und magnetischer Materialeigenschaften ausgestattet. Die Forschung geschieht in enger Zusammenarbeit mit anderen Abteilungen des HZDR einschließlich des Ionenstrahlzentrums (IBC), ELBE und des High Magnetic Field Lab.

Forschungsthemen

Foto: Hyperdoping

Überdotierung von Halbleitern

Foto: Antenna

Optoelektronik im Infrarotbereich

Foto: Defect engineering

Defekt Engineering mit Ionen

Foto: Defects in SiC

Hybride Quantentechnologien mit atomaren Defekten

Foto: Quantum Metrology

Quantenmetrologie mit topologischen Materialien

Foto: FLA and PLA

Blitzlampenausheilung und gepulste Laserausheilung


Drittmittelprojekte:

  • DFG: Ultradoped GeSn-based plasmonic antennas and GeSn/Si plasmon-enhanced heterojunction photoemission infrared photodetectors on the Si platform, start 02/24
  • VIP+ Project (BMBF): Integrated high-capacity solid state Li ion battery, start 07/23
  • HI-ACTS: Wafer-scale CMOS technology for room-temperature extended short-wave infrared GeSn photodetectors based on ion implantation and flash lamp annealing, 05-12/23
  • HI-ACTS: Contact engineering in III-V-Nitrides for UV light emitters, 05-12/23
  • EU-Horizon: Innovation Fostering in Accelerator Science and Technology (I.FAST), Start 2023
  • DFG: MIR Breitband-Photodetektor bei Raumtemperatur auf der Basis von Si:Te für die Integration auf Wafer-Ebene, Start 2020
  • BMBF "ForMikro": Gruppe IV-Heterostrukturen für nanoelektronische Höchstleistungsbauelemente (SiGeSn NanoFETs), Start 2020
  • Helmholtz Innovation Lab blitzlab für Ultrakurzzeitausheilung, Start 02/20
  • DFG-DACH: Quantum control of single spin centers in silicon carbide coupled to optical microcavities, Start 2019
  • DFG: 3D tailoring of all-oxide heterostructures by ion beams (3D-Domino), Start 2019
  • DFG: Dotierung mittels FLA and ALD, 08/18 - 11/21
  • Humboldt Research Fellowship for Postdoctoral Researchers, Y. Berencén, 06/16 – 05/19
  • SAB project SiNERGY, 09/17 – 09/19
  • DECHEMA