Kontakt
Dr. Shengqiang Zhou
Leiter Halbleitermaterialien
Leiter
s.zhou
hzdr.de
Tel.: +49 351 260 2484
Dr. Lars Rebohle
l.rebohlehzdr.de
Tel.: +49 351 260 3368
Abteilung Halbleitermaterialien (FWIM)
Die Abteilung befasst sich mit der Synthese und Modifikation moderner Materialien der Optoelektronik und Quantentechnologie mittels Ionenimplantation und Ultrakurzzeitausheilung. Die Abteilung ist mit mehreren Anlagen zur Ultrakurzzeitausheilung und Dünnschichtabscheidung sowie modernsten Geräten zur Messung elektrischer, optischer und magnetischer Materialeigenschaften ausgestattet. Die Forschung geschieht in enger Zusammenarbeit mit anderen Abteilungen des HZDR einschließlich des Ionenstrahlzentrums (IBC), ELBE und des High Magnetic Field Lab.
Forschungsthemen
Überdotierung von Halbleitern
Optoelektronik im Infrarotbereich
Defekt Engineering mit Ionen
Hybride Quantentechnologien mit atomaren Defekten
Quantenmetrologie mit topologischen Materialien
Blitzlampenausheilung und gepulste Laserausheilung
Drittmittelprojekte:
- DFG: MIR Breitband-Photodetektor bei Raumtemperatur auf der Basis von Si:Te für die Integration auf Wafer-Ebene, Start 2020
- BMBF "ForMikro": Gruppe IV-Heterostrukturen für nanoelektronische Höchstleistungsbauelemente (SiGeSn NanoFETs), Start 2020
- Helmholtz Innovation Lab blitzlab für Ultrakurzzeitausheilung, Start 02/20
- DFG-DACH: Quantum control of single spin centers in silicon carbide coupled to optical microcavities, Start 2019
- DFG: 3D tailoring of all-oxide heterostructures by ion beams (3D-Domino), Start 2019
- DFG: Dotierung mittels FLA and ALD, Start 2018
- Humboldt Research Fellowship for Postdoctoral Researchers, Y. Berencén, 06/16 – 05/19
- SAB project SiNERGY, 09/17 – 09/19
- DECHEMA
Kontakt
Dr. Shengqiang Zhou
Leiter Halbleitermaterialien
Leiter
s.zhouhzdr.de
Tel.: +49 351 260 2484
Dr. Lars Rebohle
l.rebohlehzdr.de
Tel.: +49 351 260 3368
