Ionenstrahlanalytik
Die angewandte Ionenstrahlanalytik nutzt Ionenstrahlen zur Material-, Struktur- und Radionuklidanalyse. Sie umfasst zudem experimentelle und theoretische Arbeiten zu den physikalischen Grundlagen der Abbremsung von Ionen in amorphen und kristallinen Festkörpern, zu Ionen-Reichweiteverteilungen und zum Energieverlust - Straggling - sowie Arbeiten zur instrumentellen Entwicklung der hochauflösenden Teilchenspektrometrie.
Die wissenschaftlichen Mitarbeiter der Abteilung arbeiten dabei sehr eng sowohl mit den anderen Abteilungen des Institutes als auch mit Forschungsgruppen an Universitäten, außeruniversitären Einrichtungen und in der Industrie zusammen. Viele unserer kooperativen Forschungsthemen sind interdisziplinär.
Die Analyse ist kostenfrei, erfordert jedoch die Einreichung eines Antrags. Weitere Informationen über die Beantragung von Analysen.
Forschungsschwerpunkte
- Ionenstrahlanalytik mit höchster lateraler Auflösung / Ionenstrahlanalytik im Helium-Ionen-Mikroskop
- In-situ Ionenstrahlanalytik & Ionenstrahlanalytik unter atmosphärischen Bedingungen
- Vereinigung unterschiedlicher Techniken der Ionenstrahlanalytik in universellen Experimenten
Techniken
Rutherford Rückstreu Spektrometrie
(Rutherford Backscattering Spectrometry - RBS)
- Hohe Nachweisempfindlichkeit für schwere Elemente in/auf leichter Matrix
- Quantitative und standardfreie Methode mit einer relativen Genauigkeit von 1%
- Die Anwendung von “channeling“-Messgeometrien ermöglicht die Messung der Kristallstörungen in einkristallinen Proben
Typische Parameter
- Analysierbare Elemente: O bis U
- Nachweisgrenze:
(in Abhängigkeit der Element/Matrix Kombinationen)- < 0,1 Atom-% bis mehrere Atom-% im Volumen
- 1012 at/cm2 bis 1015 at/ cm2 als Dünnschichten
- Analysentiefe: ~ 1 Mikrometer
- Tiefenauflösung: 5-10 nm bei der Anwendung von Standard-Siliziumdetektoren
- Medium Energy Ion Scattering (MEIS) als Sonderanwendung möglich, die Tiefenauflösung beträgt dann etwa 1 nm
Elastische Rückstoß Detektion
(Elastic recoil detection - ERD)
- Gute Nachweisempfindlichkeit für leichte Elemente in/auf jeder Matrix/Substrat obwohl bester Empfindlichkeit für eine leichte Matrix/Substrat
- Schwere Elemente in leichter Matrix bei Detektion der gestreuten Primärteilchen
- Quantitative und standardfreie Methode mit einer relativen Genauigkeit von 5%
Typische Parameter
- Analysierbare Elemente: H - Ar (Rückstoßatom), K - U (gestreutes Primärteilchen)
- Nachweisgrenze: 0,1 Atom-% bis >1 Atom-% (bei Anwesenheit von schweren Elementen)
- Analysentiefe (max.): 0,5 - 0,75 μm
- Tiefenauflösung: etwa 20 nm
Kernreaktionsanalyse & quantitative Wasserstoffanalytik
(Nuclear reaction analysis - NRA)
- Selektiver Nachweis von leichten Elementen
- Isotopensensitive Analysenmethode
- Besonderes geeignet für quantitative Wasserstoffanalytik
- Tiefenverteilung von Spurenelementen ist messbar
Typische Parameter
- Analysierbare Elemente: H bis F
- Ortsauflösung (lateral): 1 - 100 mm2
- Nachweisgrenze:
- < 0.05 atom-% (H)
- 0.1 atom-% (D to F)
- Analysentiefe: bis zu 5 μm (materialabhängig)
- Tiefenauflösung (für H):
- ca. 8 nm (in Si),
- 1 nm (bei streifendem Einfall)
Teilchen-induzierte Röntgen- und Gamma-Emission
(Particle induced X-Ray and Gamma- Emission - PIXE/PIGE)
- Hohe nachweisempfindlichkeit
- Simultane Multielement-Analyse
- Zerstörungsfreie/-arme Analyse
- Messung an Luft oder im Vakuum
Typische Parameter
- Analysierbare Elemente: Li bis Al (PIGE), Si bis U (PIXE)
- Nachweisgrenze:
> 0,001 Atom-% - Analysentiefe (max.): 0,5 -5 μm
Hier weiterlesen für PIXE und PIGE im Mikrostrahl
Hier weiterlesen für PIXE und PIGE im externen Strahl (in Luft)
Ionenmikrostrahl Analyse
(Ion Microbeam Analysis)
- Laterale Elementverteilungen oder Tiefenprofile im Lateralbereich von einigen Mikrometern mittels PIXE, RBS, ERD, NRA
- Quantitative und standardfreie Methode mit einer relativen Genauigkeit von 5-10%
Typische Parameter
- Analysierbare Elemente: fast All, technikabhängig --> s.o.
- Laterale Auflösung:
> 3 x 3 µm2 - Scanfläche: max. 2x2 mm2
- Nachweisgrenze:
- 0.2 atom-% (H & Li & B-F & Na-Al)
- > 0.001 atom-% (Si bis U)
- Analysentiefe (max.): 1-5 µm (Matrix und Methode abhängig)
- Tiefenauflösung: ~ 20 nm (RBS und NRA)
Externer Ionenstrahl für Archäometrie und Kunst
- Zerstörungsfreie Analyse an Atmosphäre mit einem Ionenstrahl, der das Vakuum durch eine Folie verlässt
- Punkte auf großen und zerbrechlichen Objekten können direkt gemessen werden, keine Probennahme
- Gleichzeitige Analyse von vielen Elementen mit PIXE, PIGE und RBS
- Quantitative und standardfreie Methode mit einer relativen Genauigkeit von 5-10%
Typische Parameter
- Analysierbare Elemente: Li, B - U (technikabhängig)
- Ionenstrahl: H+, 4 MeV
- Austrittsfolie: 2 µm Havar Folie (Kobaltlegierung)
- Heliumfluss zwischen Austrittsfolie und Objekt möglich
- Laterale Auflösung: sub-mm
- Analysierbare Fläche max.~ meter
- Nachweisgrenze:
- 0.2 atom-% ( Li - Mg, ausgeommen Be and Ne)
- > 0.001 atom-% (for Al to U)