Ionenimplantation und -modifikation von Festkörpern

Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum © HZDR / O. Killig

Die Arbeitsgruppe Ionenimplanter stellt Anlagen für die ionenstrahlinduzierte Modifikation von Festkörpern in einem Energiebereich von 100 eV bis 1 MeV zur Verfügung. Dabei können Oberflächen bis zu einem Durchmesser von 200mm bestrahlt werden. Die Ionenimplantation dient grundlegenden und anwendungsorientierten Untersuchungen zur Modifizierung oberflächensensitiver Eigenschaften sowie der Dotierung und Nanostrukturierung im Halbleiterbereich.

Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen in Form von Ionen in ein Grundmaterial (Dotierung). Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials ändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter bezeichnet. Die Ionenimplantation ist verfügbar für Industrieprojekte und -service sowie für grundlegende und anwendungsorientierte Untersuchungen zur Modifizierung oberflächensensitiver Eigenschaften, insbesondere Härte, Reibung, Verschleiß, Ermüdung, Haftfestigkeit, Korrosion von Metallen und anderen Werkstoffen, für Dotierung, Synthese, Nanostrukturierung und Defektengineering im Halbleiterbereich.

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Gruppeninformationen:


Kontakt

Ulrich Kentsch

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Tel.: +49 351 260 3345