Nasschemische Wafer-Reinigung und isotropes Ätzen dünner Schichten
Die nasschemischen Prozesse sind notwendig für Aufgabenstellungen der Halbleiterforschung des Institutes und beinhalten folgende Standard-Techniken:
Standard-Reinigung für Silizium-Wafer |
RCA-1-(SC-1)-Reinigung (NH4OH/H2O2/H2O)
RCA-2-(SC-2)-Reinigung (HCl/H2O2/H2O) Piranha-(SPM)-Reinigung (H2SO4/H2O2) |
Spezielle Reinigungs-Techniken | Hydrophilierung von Si-Oberflächen (z.B. für Silizium-Wafer-Bonden) |
Standard Siliziumoxid-Ätzung |
Verdünnte HF (DHF), (HF/H2O)
Gepufferte Oxid-Ätzung (BOE), (HF/NH4F/H2O) |
Langsame isotrope Si-Ätzung | HF/HNO3 Lösung mit definierter Ätzrate zwischen 6 und 1000 nm/min |
Standard Siliziumnitrid-Ätzung | Heiße H3PO4 |
Metal--Kontaktschicht-Ätzung |
H3PO4/HNO3/H2O and H3PO4/HNO3/H2O + TMAH
entsprechend für Al-Kontaktschicht-Ätzung und Al/Si-Kontaktschicht-Ätzung |
Spezielle Ätz-Techniken für: | Metalle,Gläser, poly-Si, etc. |