Fotolithographie

Für die fotolithografische Strukturierung von Metall-, Halbleiter-oder Isolator-Schichten, wie Al, Al/1.5%Si, Au, Cr, Ta, a-Si, a-Ge. SiO₂, Si₃N₄... , stehen die folgenden Ausrüstungen zur Verfügung:

Justier- und Belichtungsanlage MA4 (SÜSS)
Substrate	bis 4" Substrate
Anwendung	ein- und beidseitige fotolithografische Strukturierung von Metall-, Halbleiter- und Isolator-Schichten auf Halbleiter- und Glassubstraten
Justier- und Belichtungsanlage JUB 2104 (ELEKTROMAT)
Substrate	bis 3" Substrate
Anwendung	siehe MA4
Spin-Coater GYRSET RC 518 (SÜSS)
Substrate	bis 4" Substrate
Anwendung	Aufschleudern von Fotoresist im Dickenbereich 0,2 bis 20 µm
Spin-Coater P6000 (INTEGRATED TECHNOLOGY INC.)
Substrate	bis 4" Substrate
Anwendung	sieheGYRSET RC 518
XY-Abmessungen und Genauigkeiten der strukturierten Schichten können mittels optischer Mikroskopie in Kombination mit einer CCD-Kamera und der interaktiven Meßeinrichtung MFK II kontrolliert und ausgemessen werden.