Reaktives Ionen-Ätzen (RIE), Ätzanlage SI 591 (SENTECH Instruments GmbH)



 
 

 
 
 
Typ
 
Ein-Kammer-Parallel-Platten-Reaktor
 
 
 
 
 
 
 
Spezifikation
 
Prozeßkammer Innendurchmesser 300 mm, 270 mm hoch
Elektroden Obere Elektrode mit Gas-Dusche, 250 mm Durchmesser 

Substrat-Elektrode für Wafer bis 200 mm Durchmesser mit drei Absenkstiften, kühlbar oder heizbar im Temperatur- Bereich -30 < T(°C) < +80

RF-Versorgung Leistung 600 W, Frequenz 13.56 MHz
Schleuse Automatisch, pneumatische Einzel-Wafer Vakuumschleuse
Gase 4 Kanäle (SF6, CF4, O2, Ar) mit MFC-Steuerung
Arbeitsregime Automatisch mit SPS-Steuerung, PC-gestützt, SENTECH Software unter Windows 3.1
Aktuelle Anwendung Isotropes Ätzen von SiC mit SF6+O2 oder CF4+O2, Ätzrate 40 nm/min, übliche Ätztiefe bis 200 nm
Anisotropes Ätzen von Si mit SF6+O2 und thermisch gewachsenem SiO2 als Ätzmaske, Ätzrate 1 µm/min, Ätztiefe bis 20 µm, Selektivität RSi/RSiO2 > 130, Anisotropie 0.97.
 
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