Reaktives Ionen-Ätzen (RIE), Ätzanlage SI 591 (SENTECH Instruments GmbH)
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Typ
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Ein-Kammer-Parallel-Platten-Reaktor
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Spezifikation
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Prozeßkammer | Innendurchmesser 300 mm, 270 mm hoch |
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Obere Elektrode mit Gas-Dusche, 250 mm Durchmesser
Substrat-Elektrode für Wafer bis 200 mm Durchmesser mit drei Absenkstiften, kühlbar oder heizbar im Temperatur- Bereich -30 < T(°C) < +80 |
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| RF-Versorgung | Leistung 600 W, Frequenz 13.56 MHz | |
| Schleuse | Automatisch, pneumatische Einzel-Wafer Vakuumschleuse | |
| Gase | 4 Kanäle (SF6, CF4, O2, Ar) mit MFC-Steuerung | |
| Arbeitsregime | Automatisch mit SPS-Steuerung, PC-gestützt, SENTECH Software unter Windows 3.1 | |
| Aktuelle Anwendung | Isotropes Ätzen von SiC mit SF6+O2 oder CF4+O2, Ätzrate 40 nm/min, übliche Ätztiefe bis 200 nm | |
| Anisotropes Ätzen von Si mit SF6+O2 und thermisch gewachsenem SiO2 als Ätzmaske, Ätzrate 1 µm/min, Ätztiefe bis 20 µm, Selektivität RSi/RSiO2 > 130, Anisotropie 0.97. | ||
