Thermische Prozesse

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Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:
 
   

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Zwei Horizontal-Ofenanlagen mit drei Quarzrohren, DA62 (ELEKTROMAT)
 

Arbeitstemperaturen	300...1150 °C
Prozessgase	O2 (feucht und trocken), O2+HCl, N2, N2+5%H2, Ar+7%H2 , Reinheit 5.0
Wafer-Durchmesser	max. 100 mm
Wafer-Anzahl	max. 50
Prozesse	Trocken-Oxydation	Wachstum von Gate-Oxiden, dox = (50...250) nm  Gase: O2, trocken, O2+3% HCl, trocken  Temperatur-Bereich: (900...1100) °C
	Feucht-Oxydation	Wachstum von dicken Feld-Oxiden, dox = (300...1500) nm  Gas: O2, feucht  Temperatur-Bereich: (900...1150) °C
	Temperung	Ausheilung von Strahlendefekten nach Ionenimplantation  Drive-in-Diffusion nach Implantations-Vorbelegung  Metalkontakt-Formierung unter N2, Ar, N2+5%H2, Ar+7% H2  Temperatur-Bereich: (300...1150) °C

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