Schnelle thermische Prozesse

Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:

Anlage für Thermische Kurzzeit-Prozesse ADDAX XM-A4 (ADDAX)

System	Doppelwandige und DI-Wasser gekühlte Quarz-Prozeßkammer
Wafer-Durchmesser	max. 100 mm
Wafer-Anzahl	Einzel-Wafer-Prozessierung
Prozesse	Kurzzeit-Ausheilung von Strahlendefekten und elektrische Aktivierung der Dotanden nach Ionenimplantation bei minimaler Verbreiterung durch Diffusion der implantierten Profile. Kurzzeit-Oxydation zur Herstellung dünner Oxide, d_ox < 50 nm , Nitrierung und Silizid-Formierung
Prozesse	Gase: N₂, Ar, O₂ , Reinheit 5.0 Temperatur-Bereich: (474...1200) °C Prozeß-Zeiten: (0.5...5) min