Schnelle thermische Prozesse



Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:
 
 

 
 

Anlage für Thermische Kurzzeit-Prozesse ADDAX XM-A4 (ADDAX)
 
System
 
Doppelwandige und DI-Wasser gekühlte Quarz-Prozeßkammer
Wafer-Durchmesser
 
max. 100 mm
Wafer-Anzahl
 
Einzel-Wafer-Prozessierung
 
 
 
 
Prozesse
 
Kurzzeit-Ausheilung von Strahlendefekten und elektrische Aktivierung der Dotanden nach Ionenimplantation bei minimaler Verbreiterung durch Diffusion der implantierten Profile. 

Kurzzeit-Oxydation zur Herstellung dünner Oxide, dox < 50 nm , Nitrierung und Silizid-Formierung

Gase: N2, Ar, O2 , Reinheit 5.0 

Temperatur-Bereich: (474...1200) °C 

Prozeß-Zeiten: (0.5...5) min



 
 
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