Hochtemperatur-Vakuumtempern
Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:
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Anlage zur Hochtemperatur-Vakuum-Temperung (J.I.P.ELEC)
Die Anlage wird eingesetzt zur Ausheilung von Strahlendefekten und zur elektrischen Aktivierung der Dotanden nach Ionenimplantation in Halbleiter-Materialien.
Substrate-Durchmesser
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max. 35 mm |
Prozeßkammer
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mit Aluminium-Flanschen verschlossenes Quarzrohr |
Probenaufnahme
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Box aus Glaskohlenstoff im Zentrum der Induktionsspule, induktiv beheizt |
Vakuum
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10-6 mbar (Lechrate < 5·10-8 mbar·l/s) |
Prozeß-Gase
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N2 and Ar of 9 ppb purity (H2O) |
Gasfluß-Regelung
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Mass-Flow-Controller, 0...2 slm |
Temperatur-Bereich
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700...2000 °C |
Temperatur-Messung
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Pyrometer, Thermoelement optional |
Leistung
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max. 10 kW |
Frequenz
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10...100kHz |
Kühlung
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Flansche und Induktionsspulel Wasser gekühlt, Quarzrohr luftgekühlt |
Prozeßkontrolle
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Programmierbarer Prozeßkontroller für detaillierte Kontrolle aller Anlagensysteme und Prozeßabläufe |
Vakuumsystem
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Turbomolekularpumpe in Verbindung mit Membranpumpe - ölfrei |
Aktuelle Anwendung
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Thermische Prozessierung von ionimplantiertem SiC |