Dünnschichtabscheidung



Für die Dünnschicht-Abscheidung wird ausschließlich die physikalische Dampf-Abscheidung (PVD) mit geringer thermischer und Strahlenbelastung der Proben eingesetzt. Als Verfahren werden das DC- und RF-Hochrate-Magnetronsputtern, die Elektronenstrahl-Verdampfung und die thermische Tiegelverdampfung verwendet.

Das Verfahren des reaktiven Sputterns hat den Vorteil, von elementaren Sputtertargets durch Beimischen von reaktiven Gasen, wie O2 und N2, zum Trägergas Ar Verbindungsschichten (Oxide, Oxynitride, Nitride) auf den Proben abzuscheiden. Durch Sputtern im RF-Mode ist auch die Abscheidung von Isolatortargets möglich. Weiterhin stehen Substratheizung oder -kühlung, Bias-Sputtern und Sputter-Ätzen zur Verfügung.

Die Sputteranlage ist mit einem Restgas-Analyser und zwei optischen Emissionspektrometern zur Kontrolle der Restgaszusamensetzung sowie der Plasmaparameter ausgerüstet.
 
 

 
 

Sputteranlage NORDIKO 2000 (NORDIKO Ltd.)
 

Optionen 4 Magnetrons (Targetdurchmesser 200 mm) 
2 Magnetrons, im DC-Mode 
2 Magnetrons, im DC- oder RF-Mode
Leistung PDC 5 kW; PRF 2 kW 
Prozeßgase Ar or Ar+7%H2
Reaktivgase O2, N2
Substrat/Target-Abstand 55...130 mm
Substrate-Durchmesser 200 mm
Substrate-Dicke < 25 mm
Verfügbare Targets Al(5N), Al(1.5% Si), poly-Si, SiO2/Ge, Ta(3N) für die Abscheidung von Al, SiO2, Si- und Ge-reichen SiO2-Schichten, Ta und Ta2O5
Betriebsregime Automatischer und manueller Betrieb
Zusatzeinrichtungen - Substrat-Heizung (100 < T(°C) < 500 
- Substrat-Kühlung (15 °C) 
- LN2 Falle
Proceß- Monitoring - Restgas-Analyser MPS (FERRAN Scientific) 
- 2 Optische Emissionsspectrometer VM 3000 (VERITY Instr.) 
- Controller für reactive Sputterprozesse (MEGATECH)
Waferschleuse Einzel-Wafer-Beschickung
 
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