Im Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V. werden Halbleiter-Präparationsprozesse für Silizium und andere Halbleitermaterialien, wie GaAs, SiC und Diamant, durchgeführt (Bild: Moderne 3-Rohr-Horizontal-Diffusionsanlage zur thermischen Prozessierung von Si-Wafern bis 150 mm Durchmesser).
Die technologischen Ausrüstungen im Klasse-100-Reinraum sind ausgelegt für:
Prozess-Technologien
- Nasschemische Wafer-Reinigung und isotropes Ätzen dünner Schichten
- Nasschemisches anisotropes und selektives Ätzen von kristallinem Silizium
- Fotolithografische Strukturierung (beidseitig)
- Reaktives Ionen-Ätzen (SF6, CF4)
- Thermische Oxydation, Diffusion und Temperung
- Thermische Kurzzeit-Prozesse (Temperung und Oxydation)
- Hoch-Temperatur Vakuum Temperung
Dünnschicht-Technik
- Sputtern (DC-, RF-Magnetron, verschiedene Materialien)
- Bedampfung (Elektronenstrahl, resistiv, verschiedene Materialien)
Messtechnik
- Optische Schichtdickenmessung (interferometrisch, ellipsometrisch)
- Optische Breitenmessung
- Optische Mikroskopie
- Messung von Oberflächenprofilen
- Elektrische Messtechnik (I/V-, MIS-C/V-Messungen)
Angebot:
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Beratung |
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Wafer-Prozessierung (vor und nach der Ionenbestrahlung) |
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Messtechnischen Charakterisierung von prozessierten Halbleitersubstraten |
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Herstellung von Teststrukturen und Bauelementen für analytische und elektrische Untersuchungen |
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Gemeinsame Projekte zur Prozess- und Technologieentwicklung |
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Kontakt:
Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
Dr. Bernd Schmidt
email: bernd.schmidt@hzdr.de
Tel.: (0351) 260 2726 |
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