Kontakt
Dr. Ahmad Echresh
Reinraummanager
Postdoktorand
Nanofabrikation und Analyse
a.echresh
hzdr.de
Tel.: +49 351 260 3893
Dr. Ciaran Fowley
Leiter Nanofabrikation und Analyse
c.fowleyhzdr.de
Tel.: +49 351 260 3253
Fotolithografie
Für die fotolithografische Strukturierung von Metall-, Halbleiter- oder Isolator-Schichten, wie Al, Al/1.5%Si, Au, Cr, Ta, a-Si, a-Ge, SiO2, Si3N4, ... stehen die folgenden Ausrüstungen zur Verfügung:
| Justier- und Belichtungsanlage MA4 (SÜSS Microtech) | |
| Substrate | bis 100 mm Substrate |
| Anwendung | ein- und beidseitige fotolithografische Strukturierung von Metall-, Halbleiter- und Isolator-Schichten auf Halbleiter- und Glassubstraten |
| Justier- und Belichtungsanlage MA6 (SÜSS Microtech) | |
| Substrate | bis 150 mm Substrate |
| Anwendung | siehe MA4 |
| Spin-Coater GYRSET RC 518 (SÜSS) | |
| Substrate | bis 100 mm Substrate |
| Anwendung | Aufschleudern von Fotoresist im Dickenbereich 0,2 bis 20 µm |
| Spin-Coater APT Polos (SPS Europe B.V.) | |
| Substrate | bis 150 mm Substrate |
| Anwendung | siehe GYRSET RC 518 |
XY-Abmessungen und Genauigkeiten der strukturierten Schichten können mittels optischer Mikroskopie in Kombination mit einer CCD-Kamera und der interaktiven Messeinrichtung MFK II kontrolliert und ausgemessen werden.
