Kontakt
Dr. Ciaran Fowley
Leiter Nanofabrikation und Analyse
Gruppenleiter Reinraum
c.fowley
hzdr.de
Tel.: +49 351 260 3253
Reaktives Ionen-Ätzen (RIE)
Das Verfahren bietet die Möglichkeit, tiefes anisotropies Ätzen von Silizium bis einige zehn µm Tiefe, das Ätzen von SiC sowie die Reinigung von verschiedenen Probenoberflächen unter Verwendung von Fluor-haltigen Gasen durchzuführen.
Ätzanlage SI 500 (SENTECH Instruments GmbH)
| Typ | Ein-Kammer-Parallel-Platten-Reaktor | |
| Spezifikation | Prozeßkammer | Innendurchmesser 300 mm, 270 mm hoch, mit Laser-Interferometer etch-stop |
| Elektroden | Obere Elektrode mit Gas-Dusche, 250 mm Durchmesser Substrat-Elektrode für Wafer bis 200 mm Durchmesser mit drei Absenkstiften, kühlbar oder heizbar im Temperatur- Bereich -30 < T(°C) < +80 |
|
| RF-Versorgung | ICP quelle bis 1200 W, RF quelle bis 800 W, Frequenz 13.56 MHz | |
| Schleuse | Automatisch, pneumatische Einzel-Wafer Vakuumschleuse | |
| Gase | 8 Kanäle (SF6, CF4, O2, Ar) mit MFC-Steuerung | |
| Arbeitsregime | Automatisch mit SPS-Steuerung, PC-gestützt, SENTECH Software | |
| Aktuelle Anwendung | Isotropes Ätzen von SiC mit SF6+O2 oder CF4+O2, Ätzrate 40 nm/min, übliche Ätztiefe bis 200 nm | |
| Anisotropes Ätzen von Si mit SF6+O2 und thermisch gewachsenem SiO2 als Ätzmaske, Ätzrate 1 µm/min, Ätztiefe bis 20 µm, Selektivität RSi/RSiO2 > 130, Anisotropie 0.97. | ||
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