Reaktives Ionen-Ätzen (RIE)
Das Verfahren bietet die Möglichkeit, tiefes anisotropies Ätzen von Silizium bis einige zehn µm Tiefe, das Ätzen von SiC sowie die Reinigung von verschiedenen Probenoberflächen unter Verwendung von Fluor-haltigen Gasen durchzuführen.
Ätzanlage SI 591 (SENTECH Instruments GmbH)
| Typ | Ein-Kammer-Parallel-Platten-Reaktor | |
| Spezifikation | Prozeßkammer | Innendurchmesser 300 mm, 270 mm hoch |
| Elektroden | Obere Elektrode mit Gas-Dusche, 250 mm Durchmesser Substrat-Elektrode für Wafer bis 200 mm Durchmesser mit drei Absenkstiften, kühlbar oder heizbar im Temperatur- Bereich -30 < T(°C) < +80 |
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| RF-Versorgung | Leistung 600 W, Frequenz 13.56 MHz | |
| Schleuse | Automatisch, pneumatische Einzel-Wafer Vakuumschleuse | |
| Gase | 4 Kanäle (SF6, CF4, O2, Ar) mit MFC-Steuerung | |
| Arbeitsregime | Automatisch mit SPS-Steuerung, PC-gestützt, SENTECH Software unter Windows 3.1 | |
| Aktuelle Anwendung | Isotropes Ätzen von SiC mit SF6+O2 oder CF4+O2, Ätzrate 40 nm/min, übliche Ätztiefe bis 200 nm | |
| Anisotropes Ätzen von Si mit SF6+O2 und thermisch gewachsenem SiO2 als Ätzmaske, Ätzrate 1 µm/min, Ätztiefe bis 20 µm, Selektivität RSi/RSiO2 > 130, Anisotropie 0.97. | ||
Kontakt
Dr. Ciaran Fowley
Leiter Nanofabrikation und Nanodrähte
Gruppenleiter Reinraum
c.fowley
hzdr.de
Tel.: +49 351 260 3253
