Kontakt

Dr. Ciaran Fowley

Lei­ter Nanofabrikation und Analyse
Gruppenlei­ter Reinraum
c.fowleyAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3253

Eye catcher

Thermische Prozesse

Thermische Prozesse beinhalten die Oxydation von Silizium, die Ausheilung von Strahlendefekten und die elektrische Aktivierung der Dotanden durch Tempern sowie die Drive-In-Diffusion nach der Ionenimplantation. Für diese Prozesse stehen folgende Anlagen zur Verfügung:

Horizontal-Ofenanlage mit drei Quarzrohren, (INOTHERM)

Temperaturbereich 300...1150 °C
Prozeßgase

O2 (feucht und trocken), O2+HCl, N2, N2+5%H2, Ar+7%H2
(Reinheit aller Gase 5.0)

Wafer-Durchmesser max. 150 mm
Waferzahl max. 25
Prozesse

Trockenoxydation

Herstellung von SiO2-Gateoxiden, dox = (10...250) nm
Gase: O2 trocken, O2+3% HCl trocken
Temperaturbereich: (900...1100) °C

Feuchtoxydation

Herstellung von SiO2-Feldoxiden, dox= (200...1500) nm
Gase: O2 feucht
Temperaturbereich: (900...1150) °C

 Temperung Ausheilung von Strahlendefekten nach Ionen-Implantation
Drive-in-diffusion nach Ionenimplantation
Metall-Kontakt-Formierung
Gase: N2, Ar, N2+5%H2, Ar+7% H2
Temperaturbereich: (300...1150) °C

Horizontal-Ofenanlage mit drei Quarzrohren, DA62 (ELEKTROMAT)

Temperaturbereich 300...1150 °C
Prozeßgase O2 (feucht und trocken), O2+HCl, N2, N2+5%H2, Ar+7%H2
(Reinheit aller Gase 5.0)
Wafer-Durchmesser max. 100 mm
Waferzahl max. 50
Prozesse Trockenoxydation Herstellung von SiO2-Gateoxiden, dox = (10...250) nm
Gase: O2 trocken, O2+3% HCl trocken
Temperaturbereich: (900...1100) °C
Feuchtoxydation Herstellung von SiO2-Feldoxiden, dox= (200...1500) nm
Gase: O2 feucht
Temperaturbereich: (900...1150) °C
Temperung Ausheilung von Strahlendefekten nach Ionen-Implantation
Drive-in-diffusion nach Ionenimplantation
Metall-Kontakt-Formierung
Gase: N2, Ar, N2+5%H2, Ar+7% H2
Temperaturbereich: (300...1150) °C

Anlage für Thermische Kurzzeit-Prozesse Allwin AccuThermo AW 610

System Doppelwandige und DI-Wasser gekühlte Quarz-Prozeßkammer
Wafer-Durchmesser max. 100 mm
Wafer-Anzahl Einzel-Wafer-Prozessierung
Prozesse Kurzzeit-Ausheilung von Strahlendefekten und elektrische Aktivierung der Dotanden nach Ionenimplantation bei minimaler Verbreiterung durch Diffusion der implantierten Profile.
Kurzzeit-Oxydation zur Herstellung dünner Oxide, dox < 50 nm , Nitrierung und Silizid-Formierung

Gase: N2, Ar, O2 , Reinheit 5.0
Temperatur-Bereich: (474...1150) °C
Prozeßzeiten: (0.5...5) min


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Dr. Ciaran Fowley

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Gruppenlei­ter Reinraum
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