Nanometrische Ripple-Bildung bei FIB-Bestrahlung

Während der FIB-Bestrahlung (Sputtern) kann die selbstorganisierende Oberflächenstruktur-Bildung (Ripple-Bildung) für verschiedenste Ionenarten in Abhängigkeit von Ionenenergie und Ionenfluenz an unterschiedlichen Materialien (Si, Ge, GaAs, GaSb,...) dynamisch untersucht werden. Des weiteren können mit dem FIB der Einfluß der geometrischen Form und Größe des bestrahlten Gebietes auf das Ripple-Bild studiert werden.

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30 keV Ga+ FIB-Bestrahlung von Ge. Die bestrahlte Fläche beträgt 2x2 µm2.