FZD-Pressemittei­lung: Supraleitende Chips – reine Zukunftsmusik?, Veröffentli­chung über supraleitendes Germanium in Physical Review Letters, Bild: San­der Münster, Kunstkosmos

Dr. Johannes von Borany

Ionen­strahl­zentrum
j.v.boranyAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3593


Dr. Björn Wolf

Lei­ter HZDR Innovation GmbH
Lei­ter Techno­logietransfer und Innovation
b.wolfAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2615

Ionenimplantation in Halbleitersubstrate oder dielektrische Schichten

Ionenimplation von Halbleitersubstraten und dielektrischen Schichten zur Dotierung bzw. Erzeugung von Nanopartikeln oder Sekundärphasen:

  • Dotierung von Wide-Bandgap-Halbleitern (SiC, Diamant, GaN etc.)
  • Implantation von Seltenerdmetallen für Lumineszenz-Anwendungen
  • Implantation mit 3D-Metallen zur Erzeugung magnetischer Strukturen
  • Modifizierung dünner Metallschichten zur Verbesserung der Diffusionsbarriere
  • Erzeugung von Sekundärphasen (z.B. CoSi2, FeSi2, SiC in Diamant etc.) mittels Ionenstrahlsynthese
  • Erzeugung von Nanoclustern halbleitender bzw. metallischer Elemente

Energiebereich:   1 keV bis ca. 500 keV (je nach Ionenart)
Dosisbereich:   1012 bis 1016 At/cm²
Ionenarten:   Nahezu alle ionisierbaren Elemente
Substrate:   Standard-Wafer 2" bis 5" Durchmesser, Substratdicke beliebig (kleiner 100 µm bis mehrere mm), unregelmäßige Proben
Temperatur:   Variabel (20°C bis 1000°C) für Substrate bis 2"-Durchmesser