Dr. Johannes von Borany
Ionenstrahlzentrum
j.v.boranyhzdr.de
Tel.: +49 351 260 3593
Dr. Björn Wolf
Leiter HZDR Innovation GmbH
Leiter Technologietransfer und Innovation
b.wolfhzdr.de
Tel.: +49 351 260 2615
Ionenimplantation in Halbleitersubstrate oder dielektrische Schichten
Ionenimplation von Halbleitersubstraten und dielektrischen Schichten zur Dotierung bzw. Erzeugung von Nanopartikeln oder Sekundärphasen:
- Dotierung von Wide-Bandgap-Halbleitern (SiC, Diamant, GaN etc.)
- Implantation von Seltenerdmetallen für Lumineszenz-Anwendungen
- Implantation mit 3D-Metallen zur Erzeugung magnetischer Strukturen
- Modifizierung dünner Metallschichten zur Verbesserung der Diffusionsbarriere
- Erzeugung von Sekundärphasen (z.B. CoSi2, FeSi2, SiC in Diamant etc.) mittels Ionenstrahlsynthese
- Erzeugung von Nanoclustern halbleitender bzw. metallischer Elemente
Energiebereich: | 1 keV bis ca. 500 keV (je nach Ionenart) | |
Dosisbereich: | 1012 bis 1016 At/cm² | |
Ionenarten: | Nahezu alle ionisierbaren Elemente | |
Substrate: | Standard-Wafer 2" bis 5" Durchmesser, Substratdicke beliebig (kleiner 100 µm bis mehrere mm), unregelmäßige Proben | |
Temperatur: | Variabel (20°C bis 1000°C) für Substrate bis 2"-Durchmesser |