Kelvin-Kraft-Mikroskopie

Die Kelvin-Kraft-Mikroskopie (KPFM) ist eine spezielle Form der Rastersondentechniken auf der Nanometerskala und wird hauptsächlich zur Untersuchung von Dotierprofilen in Halbleitermaterialien verwendet. Im Rahmen des Projektes soll die KPFM als Nanometrologie-Analysetool für den Halbleitermarkt weiterentwickelt werden. Dazu sollen elektrisch leitende Spitzen mit hoher Resonanzfrequenz (>250 kHz) für Topographiemessungen verwendet und der Einfluss der leitenden Spitze auf das KPFM-Messsignal mittels ergänzender Rastermikrowellen-Mikroskopie nachgewiesen werden.